RSJ650N10TL「MOSFET NCH 100V 65A LPTS」.
| 详 情 描 述 | |
| 制造商编号 | RSJ650N10TL |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 类别 | transistors-fets-mosfets-single |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 65A LPTS |
| 状态 | Active |
| 系列 | - |
| 最低订购数量 | 1 |
| FET 类型： | N 沟道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss）： | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 65A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4V，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）： | 260nC @ 10V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： | (咨询特价)pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（最大值）： | 100W（Tc） |
| 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）： | 9.1 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 工作温度： | 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商器件封装： | LPTS |
| 封装/外壳： | SC-83 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 供应商： | http://picimg.witcp.com/pic/wansanfengsm.tmall.com/万三丰数码专营店 |
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